AI算力需求持续扩张，正在重塑全球DRAM市场竞争格局。经历一年多的份额争夺后，三星电子在2026年第二季度重新夺回DRAM市场第一的位置，而SK海力士和美光科技之间的竞争也进一步升温，全球存储芯片三强格局正在经历新一轮调整。
据市场研究机构Counterpoint Research最新发布的2026年第二季度全球内存追踪报告，三星电子以39%的DRAM市场份额位居全球第一，结束了一年前被SK海力士超越的局面。同期，美光科技凭借DRAM业务收入同比增长约五倍，以25%的市场份额紧追SK海力士的26%，三大存储厂商之间的差距进一步缩小。
三星此次反超主要得益于通用DRAM价格上涨以及HBM（高带宽内存）业务扩张。相比之下，SK海力士虽然DRAM营收同比增长214%，但市场份额却从去年同期的39%降至26%，反映出HBM均价下滑以及早期长期供货协议（LTA）锁价带来的阶段性压力。
三星受益于DRAM涨价，HBM业务同步扩张Counterpoint研究员崔正久（최정구）表示，三星此次反弹“扭转了此前所有颓势”。公司不仅受益于通用DRAM需求回升和价格上涨，同时也在HBM领域持续扩大市场份额。
报告显示，2026年第二季度，通用DRAM价格较第一季度明显上涨，为三星存储业务提供了直接的营收支撑。与此同时，HBM市场仍处于产品升级阶段，现有HBM3E产品价格同比下降，加之HBM4量产出货时间有所延后，导致整体HBM均价承压。
不过，随着AI服务器建设持续推进，高性能存储需求仍在快速增长。Counterpoint预计，第三季度DRAM价格仍有进一步上涨空间，三星存储业务盈利表现有望继续改善。
SK海力士份额承压，LTA锁价影响显现SK海力士虽然依靠HBM业务保持高速增长，但市场份额却出现明显下滑。
Counterpoint研究总监黄敏成（황민성）指出，SK海力士二季度业绩在同比和环比口径下均创历史新高，但由于三星和美光增长速度更快，公司在全球DRAM市场中的相对份额有所下降。
其中，HBM业务结构是重要影响因素。由于SK海力士此前在HBM领域领先，其HBM出货量和收入占比均高于竞争对手，因此受到HBM价格下降的影响也更为明显。
此外，SK海力士较早与客户签订长期供货协议（LTA）。由于LTA通常会设置价格上下限，在存储价格快速上涨周期中，早期锁定的合同价格可能低于当前市场价格，使公司阶段性无法充分受益于涨价周期。
HBM4放量，存储竞争进入新阶段不过，随着下一代AI芯片平台推进，HBM市场格局仍可能发生变化。
英伟达Vera Rubin以及AMD Instinct MI455X等新一代GPU机架开始出货后，HBM4需求预计将从第三季度起逐步放量。随着高端存储产品占比提升，HBM价格压力有望缓解，存储厂商盈利结构也可能进一步改善。
对于三星、SK海力士和美光而言，AI服务器需求正在成为决定未来市场排名的关键变量。随着HBM4竞争展开，DRAM市场的竞争重点也将从传统存储周期，转向先进存储技术、客户绑定能力以及产能布局的综合较量。
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